Micro-LED芯片结构及Micro-LED发光组件.pdfVIP

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2023-03-13 发布于四川
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本实用新型公开了一种Micro‑LED芯片结构及Micro‑LED发光组件。所述Micro‑LED芯片结构包括外延结构，所述外延结构包括依次设置在透光衬底上的第二半导体层、有源区和第一半导体层，该第一、第二半导体层分别与第一、第二电极配合，该第二电极分布于透光衬底周围并与透光衬底的侧壁接触，且该透光衬底远离外延结构的一侧表面为出光面。本实用新型的Micro‑LED芯片结构通过采用侧壁电极结构，可以避免因电极设置在出光面上而对LED芯片所发光的吸收，增加器件发光效率，同时还可以起到光反射的作用，从

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213519957 U (45)授权公告日 2021.06.22 (21)申请号 202023213133.7 (22)申请日 2020.12.28 (73)专利权人江