碳化硅单晶生长装置.pdfVIP

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2023-03-13 发布于四川
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碳化硅单晶生长装置.pdf

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本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚，所述坩埚外周包裹有隔热层，所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区；在所述的碳化硅原料区，坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽，碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道；在所述的碳化硅单晶生长区，坩埚内腔中设置有石墨管，石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接，碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中，石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室；经加热，升华的碳化硅原料通过石墨通道沿

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213538159 U (45)授权公告日 2021.06.25 (21)申请号 202022053597.X (22)申请日 2020.09.18 (73)专利权人山