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功耗延时积（PDP）:功耗和延时的乘积一般为常数
NMOS和PMOS 阈值电压和体效应系数均分别为正值和负值
若 不变，MOSFET随着 的增大进入的所处的状态：
V V
GS DS
长沟道器件：亚阈值区（弱反型）— 线性区—饱和区（强反型）
短沟道器件：亚阈值区（弱反型）— 线性区 — 速度饱和区 — 饱和区（强反
型）
在饱和区长沟道器件的 与 成平方关系，短沟道器件 与 成线性关系
V I
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