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mis结构中快速热氮化的sioxny膜电荷特性 热氮化的SiO2膜（Thermally Nitrided SiO2 Films）是一种利用温度依赖性的反应机制来修饰空间电荷分布的有机/无机复合材料，已经广泛用于各种应用，如电子学，激光器件以及电磁学等。因为热氮化SiO2膜具有优异的电荷特性，所以通常被用在各种电子器件和电路中。 在SiO2结构中，热氮化可以通过用可控的温度来形成各种空间耦合的电荷特性。例如，当热氮化SiO2膜添加了一些氮离子时，它会表现出一定的N中性潜在性，而这些氮离子会改变SiO2表面上的电荷分布以及表面性质，比如表面热导率和电介电势等。通过对氮离子及其吸附表面改变来控制电荷分布使得热氮化SiO2膜具有令人瞩目的电学性能。 此外，热氮化SiO2结构还可以用来增加微结构的可控性，以改善其电荷载流子传输特性。这是通过将气体释放到热氮化SiO2膜上，以改变其微结构和电子态。在这种情况下，空间电荷会改变，导致一系列电学和物理性质的改变，特别是电态导电性，可以显著提升。 因此，热氮化SiO2膜可以具有出色的空间电荷特性。它不仅能够产生一定的N中性潜在性，而且还可以用来改变其表面热导率和电介电势，提高电荷载流子传输的效率。总的来说，热氮化的SiO2膜具有优越的电荷特性，有助于我们在电子设备和技术中取得更好的结果。