垂直功率MOS半导体器件.pdfVIP

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2023-03-15 发布于北京
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垂直功率MOS半导体器件.pdf

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本实用新型公开一种垂直功率MOS半导体器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方；一漏极金属层位于重掺杂N型衬底层与轻掺杂N型漂移层相背的表面，重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分；相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213583801 U (45)授权公告日 2021.06.29 (21)申请号 202022576645.3 (22)申请日 2020.11.09 (73)专利权人开