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半导体器件及硅光电倍增管.pdfVIP

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  • 2023-03-18 发布于四川
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半导体器件及硅光电倍增管.pdf

    本实用新型涉及半导体器件及硅光电倍增管。半导体器件可包括多个单光子雪崩二极管。该单光子雪崩二极管可布置在微小区中。每个微小区可以是具有第一独立微小区段和第二独立微小区段的分裂微小区。该分裂微小区中的每个微小区段可具有耦接到输出线的相应单光子雪崩二极管。每个微小区段的单光子雪崩二极管还可耦接到相应电阻器，该电阻器用于淬灭该单光子雪崩二极管中的雪崩。分裂该微小区可减少每个微小区的恢复时间。即使容易受到光学串扰的影响，该分裂微小区段也可定位成靠近在一起。微小区内隔离结构可形成在该微小区段之间。微小区间

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213716903 U (45)授权公告日 2021.07.16 (21)申请号 202021920362.X (22)申请日 2020.09.04 (30)优先权数据 62/897,64

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