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本实用新型公开了一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片，包括N型硅片，N型硅片有正面N+区，N型硅片正面有正面P‑BASE区，正面P‑BASE区内光刻有N+区，N型硅片背面有背面P‑BASE区和背面P+深结区,背面P+深结区位于背面P‑BASE区的上方，N型硅片的顶部和底部的四周设有上下对称的环状钝化沟槽，沟槽内设有玻璃钝化层，N型硅片的表面生长有氧化层，氧化层间隙刻蚀有电极。本实用新型在芯片背面引入P+深结区，减短了电流回路的距离，增强器件电流泄放能力。同时，在芯片正面设置多个正面N+区，正面P‑
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213692059 U
(45)授权公告日 2021.07.13
(21)申请号 202022791091.9
(22)申请日 2020.11.27
(73)专利权人 江苏吉莱微电子股份有
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