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- 2023-03-18 发布于北京
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本实用新型公开了一种用于TVS隔离的沟槽结构，包括沟槽侧壁、氮化硅层和多晶poly层，所述沟槽侧壁内侧由外向内依次设置有增厚氧化层、氮化硅层、多晶poly层，多晶poly层顶部设有氧化硅层，其中沟槽侧壁、增厚氧化层和氮化硅层均呈凹字形，多晶poly层中部不存在裂缝；所述多晶poly层的厚度大于等于沟槽的宽度；所述多晶poly的高度低于氮化硅层；所述氧化硅层的高度高于氮化硅层；本实用新型的有益效果是沟槽结构的隔离效果更佳；且沟槽结构中间无缝隙，可靠性更佳。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213692044 U
(45)授权公告日 2021.07.13
(21)申请号 202022962274.2
(22)申请日 2020.12.10
(73)专利权人 傲威半导体无锡有限公司
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