空间光高能量密度半导体激光器.pdfVIP

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  • 2023-03-21 发布于北京
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本实用新型揭示了一种空间光高能量密度半导体激光器,包括热沉、安装于热沉内的电路板、多个安装于热沉内的光源模块,光源模块包括基板以及安装于基板上的多个发光单元,发光单元与电路板电连接,光源模块呈阵列分布设置,发光单元呈并排设置,发光单元的发光面朝向同一方向,各发光单元用于输出在远场方向相互重叠的光束。本实用新型中的空间光高能量密度半导体激光器体积小,功率密度高,发光效率高,穿透性极强。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213782476 U (45)授权公告日 2021.07.23 (21)申请号 202023284867.4 (22)申请日 2020.12.30 (73)专利权人 无

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