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2n7000场效应管参数 2N7000场效应晶体管是半导体封装的普通N型场效应管，它是一种开口，单态场效应晶体管（FET），被用作开关和线性电路。它由双极型场效应管（MOSFET）组成，正向电压——当电压低于它的门阀阈值时，它将关断，而当电压高于它的门阀阈值时，它将打开——尤其适用于寄生空间放大器和低功耗稳定的部分电路应用。 2N7000场效应晶体管的电气特性极具吸引力，主要包括：静态drain-source电压阈值（VGS），静态drain-source空间电流增益（ID / IG），关断时的漏电流（IGSS）和开启时的漏电流（IGSD），最大漏极—源极电流（ID），最大漏极—源极电压（VG），可用最大漏极功率（drain），漏极电容（CGS），源极电容（CDS），漏容器—源容器晶体管电容（CDG）。此外，2N7000的几乎完全的接地IC封装还可提供最低可能的元件温度，低失真和系统噪声级别，所以它也往往被用作器件多级空间放大器（IC Amp）和场效应放大器（FET Amp）等电路应用。 2N7000场效应晶体管可在一系列工作温度范围内运行，其中重要的参数是工作温度范围，最小—门阀阈值电压，最大—门阀阈值电压，drain-source阻抗，drain-source电压，关断时的IGSS，空间电流增益（ID / IG），drain-source关断电容，漏极电容，等。许多场效应晶体管的参数极大依赖于它们的外围电路，其中包括电源电压，负载电阻，输入电压和输出电压，而2N7000场效应晶体管提供了在大多数现实应用场景下可靠性能。