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本实用新型涉及一种多次外延制作的超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法，它包括它包括第二导电类型集电极、第一导电类型缓冲层、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型柱、第二导电类型柱、第二导电类型体区、第一导电类型发射极、绝缘介质层、发射极金属、屏蔽栅氧化层、屏蔽栅多晶硅、屏蔽栅盖板、栅极氧化层与栅极导电多晶硅。本实用新型可调节器件的电场分布，实现在低的阈值下有更有效的饱和电流，提高开关速度，降低开关损耗，实现更加稳定的安全工作区域。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213845279 U
(45)授权公告日 2021.07.30
(21)申请号 202023298447.1 H01L 21/331 (2006.01)
(22)申请日
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