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- 2023-03-23 发布于北京
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本申请公开了一种用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，包括：长晶炉，长晶炉内设置有坩埚，坩埚的开口呈缩口形；长晶炉的外侧设有提拉电机，提拉电机通过升降机构与坩埚的坩埚上盖连接；坩埚的上方设有组合式加热器，组合式加热器包括多个同心设置的加热环，以使得通过控制所述多个同心设置的加热环的加热温度，调节碳化硅单晶在长晶阶段时坩埚内的轴向温梯和径向温梯。本申请提供的制备碳化硅单晶的装置，通过调节多个加热环整体的温度，控制坩埚内部的轴向温梯，控制每个加热环各自的温度，进而控制热场中特别是晶体生长界面处的径
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213866492 U
(45)授权公告日 2021.08.03
(21)申请号 202022607214.9 C30B 29/36 (2006.01)
(22)申请日 2
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