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本实用新型涉及一种低损耗和漏电的沟槽MOS功率器件，包括多个沟槽MOS器件单胞重复排列并联构成；每个单胞结构包括：衬底；设置于衬底表面的外延层；设置于外延层内的沟槽；在沟槽的底部且位于外延层内的部分形成N型杂质的一次注入掺杂；设置于沟槽侧壁的栅沟槽氧化层；在栅沟槽氧化层内部填充有栅极多晶硅层；在栅沟槽氧化层周边形成有P型轻掺杂的阱层；设置于阱层上部且位于栅沟槽氧化层周边的N型重掺杂的源极区；设置于外延层表面的层间介质层；穿透层间介质层连接源极区的源极接触孔。本实用新型在保持同样击穿电压的情况下，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213878101 U
(45)授权公告日 2021.08.03
(21)申请号 202023235581.7
(22)申请日 2020.12.29
(73)专利权人 无锡惠芯半导体有限公司
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