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本实用新型提供了一种多层外延超结结构VDMOS的结构，包括漏极，漏极的上方设置有衬底，衬底的上方设置有n型漂移区，n型漂移区的内部设置有p型块，p型块的上方设置有p型阱，p型阱的内部设有n+型源区和p+型短路区，在n型漂移区设置垂直于条形多晶层方向的横向p型块，将主要承压层p型块区域与p型阱的延伸方向垂直，使p型块长度不再成为限制单胞大小的因素，单胞大小完全由多晶层与多晶层间隔长度决定，n型漂移区与p型块在承受源极至漏极反向电压时，因电荷平衡原理，相互耗尽，形成空间电荷区承担其反向电压，由此可降
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213878103 U
(45)授权公告日 2021.08.03
(21)申请号 202120066156.5 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(22)申请日 2021
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