栅氧化层完整性测试结构.pdfVIP

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2023-03-25 发布于四川
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栅氧化层完整性测试结构.pdf

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本申请公开了一种栅氧化层完整性测试结构，该栅氧化层完整性测试结构包括基底、栅氧化层、栅极结构、阻挡层和介质层。其中，基底内设置有有源区；栅氧化层覆盖于基底上；栅极结构设置于栅氧化层上；阻挡层覆盖于栅氧化层和栅极结构上；介质层覆盖于阻挡层上，介质层上设置有第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔，第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔朝向基底的一端均设置有掺杂区，第一接触孔和第二接触孔均与有源区连接，第三接触孔与栅极结构连接。本方案可以提高GOI测试结果的准确性。

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218677147 U (45)授权公告日 2023.03.21 (21)申请号 202222998210.7 (22)申请日 2022.11.10 (73)专利权人广州粤芯半导体技术有限公司地址