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- 2023-03-25 发布于四川
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本实用新型公开的属于制冷红外探测器技术领域，具体为一种能实现变温并稳定控温的杜瓦，其包括：冷平台；基板，安装在冷平台的上方，所述基板的上方设置有芯片；半导体制冷器，安装在所述冷平台与所述基板之间或者所述基板与所述芯片之间；测温元件，安装在基板上。该一种能实现变温并稳定控温的杜瓦，在现有液氮杜瓦冷平台上增加1个半导体制冷器，可按需求使探测器芯片制冷或制热，达到探测器芯片测试所需的工作温度，并能实现稳定控温，解决了现有的液氮杜瓦无法满足工作温度低于77K的探测器芯片测试需求。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218672755 U
(45)授权公告日 2023.03.21
(21)申请号 202222897286.0
(22)申请日 2022.11.01
(73)专利权人 武汉高芯科技有限公司
地址 43
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