半导体量子芯片.pdfVIP

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  • 2023-03-27 发布于四川
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本公开提供一种半导体量子芯片,包括:基片,包括边缘刻蚀区域和中心高台区域,所述中心高台区域设有量子点区域和欧姆接触区域,所述量子点区域包括两侧刻蚀区域和中间量子点区域,所述两侧刻蚀区域上方镀有黏附层,所述黏附层上方镀有第一微磁体层;第一绝缘层,形成在所述基片上方,所述第一绝缘层中与所述欧姆接触区域对应的区域开设有欧姆接触窗口,所述欧姆接触窗口中制备有欧姆接触电极,所述第一绝缘层上制备有量子点电极,所述量子点电极一端延伸至所述第一绝缘层中与所述中间量子点区域对应的区域上方;第二微磁体层,形成于所述

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213958960 U (45)授权公告日 2021.08.13 (21)申请号 202023249788.X (22)申请日 2020.12.29 (73)专利权人 中国科学技术大学 地

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