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一种适于高密度布局的场效应晶体管.pdfVIP

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  • 2023-03-27 发布于四川
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一种适于高密度布局的场效应晶体管.pdf

    本实用新型系提供一种适于高密度布局的场效应晶体管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有芯片；第一导电支脚包括第一上平板和第一下平板分别固定于第一立板的上下形成C字形，第一上平板的底部固定有第一导热板，第一导热板靠近第一立板的一侧设有第一斜面；第二导电支脚包括第二上平板和第二下平板分别固定于第二立板的上下形成C字形，第二上平板上固定有焊接凸台，第二上平板的底部固定有第二导热板，第二导热板靠近第二立板的一侧设有第二斜面。本实用新型可有效缩减整体结构的占用空间，适用于当下有高密度布局需求的电子产品；导热板

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213958939 U (45)授权公告日 2021.08.13 (21)申请号 202023119589.7 (22)申请日 2020.12.22 (73)专利权人 先之科半导体科技（东莞）有限公

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