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一种大功率的肖特基二极管结构.pdfVIP

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  • 2023-03-27 发布于四川
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一种大功率的肖特基二极管结构.pdf

    本实用新型系提供一种大功率的肖特基二极管结构，包括绝缘封装体，绝缘封装体内封装有肖特基芯片，肖特基芯片连接有两个导电引脚；肖特基芯片包括依次层叠的阴极层、欧姆接触层、N型衬底、第一外延层、第二外延层、肖特基金属层和阳极层，肖特基金属层的四周围绕有环状钝化层，第二外延层中设有若干第一沟槽，第一沟槽的底部连接有位于第一外延层中的第二沟槽，肖特基金属层填充入第一沟槽和第二沟槽中，第一沟槽的槽宽小于第二沟槽的槽宽。本实用新型中肖特基金属层的底端填充到两个沟槽中，能够有效增大反接时肖特基势垒的高度，反向击

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213958963 U (45)授权公告日 2021.08.13 (21)申请号 202023120995.5 (22)申请日 2020.12.22 (73)专利权人 先

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