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- 2023-03-27 发布于四川
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本实用新型为一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构。该结构主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、电子注入层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层和P‑型重掺杂半导体传输层。其中，电子注入层通过AIN组分和掺杂浓度来精确调控N‑型AlGaN层内极化电场和耗尽电场，从而降低电子注入有源区时的能量，提高量子阱对电子的捕获能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生长难度低，可重复性强。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213958983 U
(45)授权公告日 2021.08.13
(21)申请号 202023014063.2
(22)申请日 2020.12.15
(73)专利权人 天
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