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Chapter 11金屬化製程;目標;金屬化製程;金屬化製程;應用;CMOS: 標準金屬化製程;應用: 局部連線;應用: 局部連線;;;應用: 匣極和電極;問與答;應用: 微鏡面(Micro-mirror);應用: 融合(Fuse);導電薄膜;導電薄膜;多晶矽;金屬矽化物;金屬矽化物;自我對準的鈦金屬矽化物的形成步驟;矽化鎢;鋁;鋁—矽合金;;電遷移;電遷移;電遷移的預防;鋁合金沉積;PVD vs. CVD;PVD vs. CVD;鋁的一些基本資料;鈦;焊接層;鈦;鈦的基本資料;氮化鈦;氮化鈦 PVD ;氮化鈦CVD;氮化鈦;鎢 ;接觸窗金屬化製程的演化;鎢 CVD ;鎢的基本資料;鎢;銅;銅沉積;銅的基本資料;鉭 ;坦的基本資料;鈷;矽化鈷;矽化鈷: 製程;鈷的基本資料;金屬薄膜的特性;金屬薄膜的測量;金屬薄膜厚度;TEM 和 SEM;問與答;輪廓量測器;;四點探針;聲學量測法;聲學量測法;聲波法測量;聲學法測量金屬薄膜示意圖;TiN 厚度;均勻性;均勻性量測的取點分佈;均勻性;應力;收縮式應力引起小丘狀突出物;;有幫助的應力;問與答;反射係數;薄片電阻;薄片電阻;金屬線的電阻;;薄片電阻;薄片電阻;;四點探針工具;;金屬化學氣相沉積法;金屬 CVD 反應室;金屬 CVD;金屬化學氣相沉積法製程的步驟;金屬CVD反應室清潔步驟;;鎢 CVD 基本資訊;典型的鎢 CVD 製程;鎢