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- 2023-03-28 发布于四川
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本实用新型涉及LED封装技术领域，且公开了一种深紫外LED的封装结构，包括固定座，所述固定座的内部开设有卡槽，所述卡槽的内底壁固定连接有第一导热硅胶，所述第一导热硅胶的顶部固定连接有基板。该深紫外LED的封装结构，通过设置固定座、卡槽、第一导热硅胶、第二导热硅胶、凹槽、安装块和固定环，使第二导热硅胶将LED芯片产生的热量传导至金属固定座，使固定座通过安装块将部分热量向其他构件转移，使金属固定座将热量吸收并同时向空气中散失，使深紫外LED散热面积增大，解决了通过金属丝与外界空气接触进行散热，但是金
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214012961 U
(45)授权公告日 2021.08.20
(21)申请号 202022499411.3
(22)申请日 2020.11.03
(73)专利权人 南京三德光电有限公司
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