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- 2023-03-28 发布于四川
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本实用新型涉及一种肖特基二极管，包括：N型衬底；N型外延层，层叠于N型衬底上；掺杂N层，层叠于N型外延层上；深沟槽，设置在N型外延层和掺杂N层中，深沟槽内填充有多晶硅，多晶硅与深沟槽之间填充有二氧化硅层；相邻深沟槽之间的掺杂N层上设置有肖特基接触区，肖特基接触区上设置有金属层，金属层与多晶硅区通过金属互联线连接；相邻深沟槽之间的区域构成JFET区域，JFET区域在纵向和横向方向均具有高斯分布的离子源掺杂。本实用新型的肖特基二极管能在保证低导通功耗的基础上提供高反向耐压能力，而且在不提高漏电的情况
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214012948 U
(45)授权公告日 2021.08.20
(21)申请号 202022510754.5
(22)申请日 2020.11.03
(73)专利权人 西安精匠华鹤电子科技有限公司
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