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- 2023-03-29 发布于四川
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本实用新型公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214012944 U
(45)授权公告日 2021.08.20
(21)申请号 202023214251.X
(22)申请日 2020.12.28
(73)专利权人 南瑞联研半导体有限责任公
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