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(1-*) 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 §2.5 场效应晶体管 (1-*) 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 §2.5 场效应晶体管 0 ID UGS VT (1-*) _ + ? + ? R2 R1 R1 ui2 uo R2 ui1 解出： 特3：单运放的加减运算电路：差动放大器 (1-*) 2.6.2 集成稳压器 放在第7章讲解 (1-*) 作业: 　　　一、二章作业下星期的此段上课时间交！ (1-*) 引　言 2.5.1 结型场效应管 2.5.3 场效应管的主要参数 2.5.2 MOS 场效应管 1. 4场效应管（1） §2.5 场效应晶体管 §2.5 场效应晶体管 (1-*) 引 言 场效应管 FET (Field Effect Transistor) 类型： 结型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET) 1. 4场效应管（2） §2.5 场效应晶体管 (1-*) 场效应管 1. 分类 按导电沟道分 N 沟道 P 沟道 按结构分 绝缘栅型 (MOS) 结型 按特性分 增强型 耗尽型 uGS = 0 时， iD = 0 uGS = 0 时， iD ? 0 增强型 耗尽型 (耗尽型) 第一章 小结 (1-*) 特点： 1. 单极性器件(每个FET中只有一种载流子导电) 3. 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低 2. 输入电阻高 (107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) §2.5 场效应晶体管 (1-*) N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 2.5.1 结型场效应管: 导电沟道 §2.5 场效应晶体管 (1-*) N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S §2.5 场效应晶体管 (1-*) P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S §2.5 场效应晶体管 (1-*) 二、工作原理（以P沟道为例） UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID UGS0， PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 1）UGS 对沟道的控制作用 §2.5 场效应晶体管 (1-*) P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 §2.5 场效应晶体管 (1-*) P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压VGS(off)),耗尽区碰到一起,DS间被夹断,显然,UGS能控制沟道。ID=? ID 0 §2.5 场效应晶体管 (1-*) P G S D UDS UGS UGS一定，且UDS0、UGDVGS(off)时，耗尽区的形状。 N N ID UDS 0时 越靠近漏端，PN结反压越大 §2.5 场效应晶体管 (1-*) P G S D UDS UGS UGS一定,且UDS的值慢慢增大时,UGDUGS(off)时耗尽区的形状。 N N 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID §2.5 场效应晶体管 (1-*) G S D UDS UGS ID 此时： N N 注意： UGS一定，UGD＝UGS(off)时,漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 的予夹断电压公式： §2.5 场效应晶体管 (1-*) G S D UDS UGS UGS一定，UGD大于Uoff时 N N ID 此时，电流由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。显然，可以通过改变　来控制　的大小。这就是　对　的控制作用。 UDS再增大，则被夹断区向下延伸。 §2.5 场效应晶体管 (1-*) 所以场效应管为电压控制器件，用　　来描述动态的　　对　的控制作用，称为低频跨导。 §2.5 场效应晶体管 (1-*) 予夹断曲线 ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 §2.5 场效应晶体管 三、特性曲线 (1-*) UGS 0 ID IDSS Voff 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 §2.5 场效应晶体管 (1-*) N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性和输出特性 UGS(off) 当 UGS(off) ? uGS ? 0 时, uGS