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2023-03-29 发布于四川
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一种IGCT独立门极封装结构.pdf

本实用新型涉及一种IGCT独立门极封装结构，属于IGCT技术领域。包括阴极法兰(6)、瓷环(5)和阴极铜块(1)，所述瓷环(5)上端面设有阴极法兰(6)，所述瓷环(5)下端面设有阴极密封圈(2)，所述阴极密封圈(2)底部外端设有阴极引出环(3)，所述阴极法兰(6)、瓷环(5)、阴极铜块(1)、阴极密封圈(2)和阴极引出环(3)上下同心叠合设置，所述瓷环(5)上穿设若干独立门极(4)，若干所述独立门极(4)环向均匀间隔设置。所述瓷环(5)厚度大于10mm。本申请通过厚型的瓷环取代上瓷环和下瓷环对独

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214012945 U (45)授权公告日 2021.08.20 (21)申请号 202022890832.9 (22)申请日 2020.12.07 (73)专利权人江阴市赛英电子股份有限公司

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