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一种用于静电保护的可控硅结构.pdfVIP

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  • 2023-03-29 发布于四川
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一种用于静电保护的可控硅结构.pdf

    本申请公开了一种用于静电保护的可控硅结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底中相邻的第一N型阱区和第一P型阱区；位于第一N型阱区中的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区中形成有靠近半导体衬底表面的第一N型重掺杂区，第一N型轻掺杂区周围依次形成有第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；位于第一P型阱区中的P型轻掺杂区，P型轻掺杂区中分别形成有靠近半导体衬底表面的第三N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第四N型重掺杂区；覆盖部分的第一N型阱区和第一P型阱区的多晶硅层，多晶硅层暴露各个重掺杂区；第一N型重掺杂区和第一P型

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214012941 U (45)授权公告日 2021.08.20 (21)申请号 202120236475.6 (22)申请日 2021.01.27 (73)专利权人 上海类比半导体技术有限公司

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