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- 2023-03-29 发布于四川
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本申请提供一种太阳能电池,包括硅基底,所述硅基底具有相邻的第一部分与第二部分,所述第一部分的正面依次层叠设置有隧穿层与掺杂多晶硅层,所述第二部分的正面形成有掺杂层,所述太阳能电池还包括设置在所述硅基底正面且与所述掺杂多晶硅层相接触的正面电极;所述硅基底的背面依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂非晶层与透明导电层。本申请太阳能电池能够改善电池表面的钝化性能,减小正面电极位置的复合损失与接触电阻,同时减小入射光线的吸收损失,所述掺杂非晶层也能避免背面高温掺杂制程,减少高温可能导致的缺陷,提高电池寿命。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214043687 U
(45)授权公告日 2021.08.24
(21)申请号 202022763982.3
(22)申请日 2020.11.25
(73)专利权人 嘉
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