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- 2023-03-29 发布于四川
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本实用新型提供了一种高电流密度的功率半导体器件，包括：衬底；缓冲区，缓冲区设置于衬底上；基区，基区设置于缓冲区上；沟槽区，沟槽区设置于基区上，沟槽区设有两个真沟槽单元，并且在两个真沟槽单元之间设有Dummy区，Dummy区中设有一个或多个假沟槽单元，其中，真沟槽单元结构形状相同，假沟槽单元结构形状相同，并且假沟槽单元的宽度大于真沟槽单元的宽度。本实用新型能够保证假沟槽单元具有较大的宽度尺寸，从而能够降低整体沟槽密度，以有效减小晶圆应力，从而消除晶圆翘曲，并且还能够降低假沟槽单元的深宽比，从而能够
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214043671 U
(45)授权公告日 2021.08.24
(21)申请号 202023080890.1
(22)申请日 2020.12.18
(73)专利权人 江苏宏微科技股份有限公司
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