原创力文档- 1
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- 2023-03-29 发布于四川
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本实用新型为半导体静电放电保护装置，包括底座、半导体本体和壳体，所述底座上设置有安装槽，所述安装槽一侧设置有第一减震装置，所述第一减震装置包括限位柱、挡板、和第一弹簧，所述底座上设置有滑道，所述限位柱一端与所述滑道连接，所述壳体上设置有卡槽，所述卡扣与所述卡槽相匹配，该半导体静电放电保护装置，第一减震装置和第二减震保护装置可以实现对半导体器件的水平方向减震保护，同时通过温度传感器与壳体上的制冷片连接，实现对半导体器件的降温保护，在壳体上设置有静定防护网填充层，放置半导体受到静电影响。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214043656 U
(45)授权公告日 2021.08.24
(21)申请号 202022919297.5
(22)申请日 2020.12.08
(73)专利权人 何淑英
地址 51
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