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一种深紫外正装结构的LED芯片.pdfVIP

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  • 2023-03-29 发布于四川
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一种深紫外正装结构的LED芯片.pdf

    本专利涉及一种深紫外正装结构的LED芯片，包括：外延层结构，所述外延层结构包括PN结，所述PN结的顶部设置有P型AlGaN层、量子阱层以及N型AlGaN层；电极，所述电极包括N电极、P电极，所述N电极与所述N型AlGaN层直接连接；GaN层，设置在所述P型AlGaN层的上表面，所述P电极设置在所述GaN层的上表面，GaN层的图案形状与所述P电极图案的形状匹配；ITO层，所述ITO层设置在所述P型AlGaN层的上表面，位于所述GaN层的周围。在p‑GaN层留出易于欧姆接触的P电极图形，同时刻蚀出易

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214043697 U (45)授权公告日 2021.08.24 (21)申请号 202021040841.2 (22)申请日 2020.06.09 (73)专利权人 山西中科潞安紫外光电科技有限

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