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2023-03-30 发布于四川
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本实用新型提供一种上下电测试系统。该上下电测试系统包括：微控制单元，适于接收用于待测芯片上下电测试的电压策略并基于电压策略生成相应的控制信号；上下电控制电路，包括栅极驱动器和晶体管，栅极驱动器适于接收控制信号并基于控制信号生成相应的驱动信号，晶体管的栅极适于接收驱动信号并基于驱动信号导通或关闭晶体管，晶体管的漏极适于接收用于待测芯片上下电测试的测试电压，NMOS晶体管的源极通过电阻接地并在NMOS晶体管导通时具有测试电压以输出至待测芯片。通过该上下电测试系统，可以基于待测芯片的具体应用环境设定相

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214041597 U (45)授权公告日 2021.08.24 (21)申请号 202023302887.X (22)申请日 2020.12.30 (73)专利权人上海东软载波微电子有限公司