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本实用新型公开了一种基于纳米图形衬底的AlInGaN紫外发光二极管。包括蓝宝石纳米图形衬底，衬底边缘有刻蚀圈，衬底上有一层缓冲薄层，在缓冲薄层和纳米图形衬底之间形成空洞。依次生长的N型AlInGaN接触层，AlInGaN量子阱,AlInGaN电子阻挡层，P型AlInGaN接触层。AlN薄膜和纳米图形衬底之间形成生长的纳孔洞空洞，会形成很好的紫外光反射粗糙面，形成高效紫外出光。所述发光二极管能够有效降低AlN薄膜的位错密度，提高AlN薄膜的生长质量，提升AlInGaN紫外发光二极管的内量子效率。同
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214043695 U
(45)授权公告日 2021.08.24
(21)申请号 202023173718.0 H01L 33/46 (2010.01)
(22)申请日 2
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