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11n65场效应管参数 高功率N型场效应管（N65）是基于氮化镓硅（GaN）技术制成，最近年以来，被广泛应用于高功率，高频、开关和高效电路。它可提供高的额定电压，性价比较高的匹配网络，并有一种很强大的非对称结构，以满足用户对于高效率和高功率的要求。 N65场效应管最适合于频率高达2Ghz的系统，它具有多种参数，如它的工作温度范围，最大最大行注，绝缘强度，动态特性，推挽极限等。 1、额定电压和额定功率：N65场效应管的额定电压为60V和30V，额定功率为7W和3W。 2、工作温度范围：N65场效应管的工作温度范围为-55°C到+ 125°C。 3、最大直流电流：N65场效应管的最大直流电流为2A。 4、绝缘强度：N65场效应管的绝缘强度为75MΩ。 5、动态特性：N65场效应管的动态特性包括电容，比容，衰减常数和上升时间。 6、推挽极限：N65场效应管的推挽极限为20V/μs，最大行注为12V/μs。 7、传输延迟时间：N65场效应管的传输延迟时间为6ns。 8、输出阻抗：N65场效应管的输出阻抗为1.5Ω。 N65场效应管可以提供高效率和高功率的电路，并且可以支持2Ghz的频率，性价比比较高，受到了商业和工业的广泛使用。它的参数不仅仅受到它的构造影响，还受到材料的影响。