溅射薄膜沉积06.docxVIP

溅射薄膜沉积 ⊙薄膜 在基片上形成的厚度从单原子层到约 5μm 的物质。 ----特点：具有不同于固体块材的表面效应。 ⊙各种沉积薄膜的技术 ⊙溅射产生背景：辉光放电，异常辉光放电中，放电装置壁沉积导电薄膜。 ⊙定义：荷能粒子轰击固体材料，使材料以原子状态从表面逸出的现象。 荷能粒子：离子、原子或分子（电子？） 表面作用：溅射 唯一? ⊙溅射历史 1853 年：法拉第气体放电实验，发现沉积现象， 但没有引起重视。 1902 年：证实膜是正离子轰击阴极的溅射产物 1960：Bell 实验室溅射沉积IC 中Ta 膜 1965 年：IBM 采用 rf 溅射沉积绝缘膜 1969 年：三级溅射 1974 年：平面磁控溅射 ⊙溅射产生条件： 被轰击物质 任何物质 入射粒子阈能 克服结合力，结合能 ⊙溅射产生过程：入射离子----碰撞靶原子 原子离 位----级连碰撞----到达表面 离开表面 溅射阈能：引起靶材原子发生位移的入射粒子的最小能量 AI 13 13 15 18 Rh 25 24 25 25 TI 22 20 27 28 Pd 20 20 20 15 V 21 23 25 28 Ag 12 15 15 17 Cr 22 22 18 20 Ta 25 26 30 30 Fe 22 20 25 23 W 35 33 30 30 Co 20 25 22 22 Re 35 35 25 30 Ni 23 21 25 20 Pt 27 25 22 22 Cu 17 17 16 15 Au 20 20 20 18 Ge 23 25 22 18 Th 20 24 25 25 Zr 23 22 18 25 U 20 23 25 22 Nb 27 25 26 32 入射原子靶材 入射原子 靶材 He+ Ar+ K+ Xe+ 入射原子 靶材 He+ Ar+ K+ Xe+ Be 12 15 15 15 Mo 24 24 28 27 ⊙溅射产额（溅射率） ---为一个入射离子所溅射出材料原于的数目。 ---影响溅射产额的因素： 离子能量 ----能量可分三个区域： 低能区（低于溅射阈能）---没有或很少溅射。(b)中等能量区（溅射阈能E 10keV）---溅射率随离 i 子能量增加而迅速增加 (c)高能区 溅射产额缓慢增加，而后降低（？） 轰击离子的入射角---入射离子与靶材法线的夹角 〖问题〗--在实际应用中如何提高利用最佳入射角提高溅射率？ --离子束 --等离子体鞘层 除 Pt 外，随角度变化存在最大值 最佳入射角。 入射离子种类的影响 特点： 溅射产额随离子的原子序数发生周期性变化 ----随原子序数的增加而增大 原因：在元素周期表的每一排中，电子壳层填满的元素， 它的离子引起的材料溅射产额最大，而居中部位的元素，例如 AI、Ti、Zr 相 Hf,离子溅射产额较小。 惰性气体离子: 较大的溅射产额 避免与靶材发生化学反应 靶材 特点：相量的离子轰击不同靶材，溅射产额随靶材原子序数也呈周期性变化。 原因：与靶元素原子电子壳层的填充程度等情况有密切关系。 溅射产额与被溅射原子有关造成的结果---选择溅射 对于多原子固体靶，溅射前后固体表面的组分发生变化 -----所薄膜的成分与靶材有偏差。 ⊙溅射粒子的状态： 中性：≥90% 离子：≤10% ⊙溅射原子的能量 关心原因：决定溅射沉积薄膜的性质。 ----能量分布 AgPt Ag Pt Zr 12000VKr 原子轰击不同靶材逸出原子的能量分布 ----结论： 在相同能量相同元素离子的轰击下，溅射原子的平均逸出能随靶材的原子序数增加。 （2）溅射产额低的靶材具有较低的平均逸出能量。 平均逸出能随入射离子的原子序数增加。 平均逸出能量随入射离子能量的变化： 小于 1keV---平均逸出能量近似随入射离子能量线性增加； 大于 1keV---溅射原子的平均逸出能逐渐趋向稳定。 ⊙溅射原子的角向分布 结论：近似余弦分布 ?垂直方向，凹陷--?不满足蒸发溅射模型 出射方向与晶体结构有关，原子排列紧密的方向是逸出粒子的主要方向 ⊙溅射机理 ---热蒸发机制：离子轰击在靶表面产生局部高温--?靶物质原子蒸发。 矛盾：溅射粒子角度分布非余弦性； 溅射率与入射离子质量有关； 溅射率与入射离子角度变化； ---?动量传递模型：入射离子将动能传递给原子。 ⊙各种溅射沉积装置 ---直流二极溅射设备 --位形（图） ---工作区域：异常辉光（？） ---气体：氩气（氦气？） ---气压：l---20Pa。 ---溅射靶：做阴极，加负电压。 ---基片电极：做阳极，接地。可加热。 ---靶与基片之间的距离：大于阴极暗区厚度（依据？） A min A min W / cm 2 率效率功 溅射产额低 102 103 104 离