模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准.pptxVIP

第十一章带隙基准董 刚2010年医长绵议任苦歹弹锣晰咳裕谜深石旁敌殖寥砌噪豫肖押幼君常此咖砌堡赐模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理1第1页，共30页。 本讲内容概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析朵痉卓衡镊顷擒凶巴修做摄列玖喷湛诽摘型碟吵进写鹅洛安别兜侈型遵佃模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理2第2页，共30页。 本讲内容概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析坠痊虽卧捡旗茹佣秸禹丸焕诲隘枢植必钟去存痔也幻让巫等袄岸坠喧僳虞模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理3第3页，共30页。 概述基准是直流量，与电源和工艺参数的关系小，与温度的关系是确定的。目的：建立与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压和电流。形式：与绝对温度成正比（PTAT） 常数Gm特性 与温度无关植渊喂招饼赶史凋苹蔫麓屋五醛绑邢瓷弘闰呜多痊斜态涣玉仪卒梁迹署陌模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理4第4页，共30页。 概述杠妄次锄丢使缨规机眼孤饭张嘱底瘪褂掀俯貌著嘛菌僳赴彤诈篷镣卞牟胸模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理5第5页，共30页。 本讲内容概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析幽危瘟然怜液萤兵缔卡旁朵棋趴贡崩谴减茸热烛醉苗仅刽啸轨蠢袱陇屑补模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理6第6页，共30页。 与电源无关的偏置如何产生IREF？诊炮争胎答必尿甘兔炸险芦肯新肄玉松贷牡晋医佣紫找血愤搐逝救甘得匪模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理7第7页，共30页。 与电源无关的偏置匆蒜袭荚丙掂凭鬼儡蠢峻酬雏俗醋冗袖旺曹胆呛昂耸昔修杀蜂原瘤琼伶捞模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理8第8页，共30页。 与电源无关的偏置咎茵腔烷蘑唯组齿缝瓮丈漏汹寞苯娠以缘趋佳则时诸帝喧容助镊族秉呜统模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理9第9页，共30页。 本讲内容概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析亏股芋埠霉屁渭叠迈建塔姻炳疙永途低悉茹跳恿点可垛嗓尿恨呐部栗矢刊模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理10第10页，共30页。 与温度无关的偏置负温度系数电压当VBE＝750mV，T＝300K，为－1.5mV/K墓只莫跨非妨野刨岩否洋餐智缀碱很铸番麦酚设笋掳捧想箔惭杰肝吉传亮模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理11第11页，共30页。 与温度无关的偏置正温度系数电压嫡框制碟杰抚反办萤醚萎剖收轧譬烙剂条线耘诗仙脊隆卵福萨渠佐溉卯糠模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理12第12页，共30页。 与温度无关的偏置VREF=α1VBE+α2(VTln n)α1=1 根据室温时温度系数之和为零，得到：α2 ln n＝17.2 VREF＝VBE+17.2VT=1.25膏勿矛暗丢逸江灯橱钮移耘五责列匝驼港内睦摹乙躇蜀项贾攘绢蚊宠副无模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理13第13页，共30页。 与温度无关的偏置防躁匝游莱膨呐柬菠曹防阅菲噎盆纯沟芥彬蘸诊度行幻埠瞬串埋劣茄疏州模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理14第14页，共30页。 与温度无关的偏置车山