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一种平面肖特基芯片的复合型钝化结构.pdfVIP

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  • 2023-04-04 发布于四川
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一种平面肖特基芯片的复合型钝化结构.pdf

    本实用新型公开了一种平面肖特基芯片的复合型钝化结构，包括钝化层、金属镀层以及聚酰亚胺复合膜，金属镀层设置在钝化层上，聚酰亚胺复合膜的一部分设置在钝化层上，聚酰亚胺复合膜的另一部分设置在金属镀层上，以抑制金属镀层与钝化层的结合处电荷迁移。从而实现了在金属镀层与钝化层的结合处不会轻易发生漏电的现象。与传统的相比，本实用新型的平面肖特基芯片的复合型钝化结构不会出现在芯片经过封装后漏电流增加的现象和封装成品经过可靠性试验后漏电流增加的现象的技术问题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214099629 U (45)授权公告日 2021.08.31 (21)申请号 202023084032.4 (22)申请日 2020.12.18 (73)专利权人 深圳市旭昌辉半导体有限公司

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