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微电子作业题目 《微电子技术》习题 2017.12.12 整理 第二章《半导体衬底》习题 3. 将30%硅和70%锗的混合物加热到1100℃，如果材料处于热平衡态，熔融部分中硅的浓度是多少？在什么温度下，材料全部熔化？将样品升温到1300℃，然后慢慢降温，回到1100℃，此时固态的部分中硅的浓度是多少？ 9. 直拉硅晶锭中温度梯度为100℃/cm，计算最大的拉速？ 11.用直拉工艺从熔料中拉出掺硼的硅单晶锭，切割晶锭以获得圆片，在晶锭顶端切下的圆片，硼浓度为3×1015cm-3。当熔料中的90%已经结晶，剩下10%开始生长时，所对应的晶锭上的该位置处切下的圆片，硼浓度是多少？ 12. 硅熔料含0.1%原子百分比的磷，假定溶液总是均匀混合的，计算当晶体拉出10%，50%，90%时的掺杂浓度？ 13. 从含有0.01%磷的熔料中拉制硅单晶锭。 （a）求晶锭顶端（x=0处）的磷的浓度。 （b）如果锭长1m，截面均匀，在何处（x为何值时）磷的浓度是晶锭顶端处的2倍？ （c）考虑熔料同时也含有镓（也是硅中的P型掺杂杂质，但不常用）的情况。在晶锭顶端（x=0处）镓的浓度与磷的浓度相等，如果在晶锭中点（x=0.5cm处）镓的浓度是磷的2倍，镓的分凝系数是多大？ 第三章《扩散》习题 1. 假设你被要求去测量一种施主杂质在一种新的元素半导体材料中的扩散 率，你需要测量哪些常数？你需要做哪些实验？讨论你在测量化学杂质分布和载流子分布时所采用的测量技术。你可能会遇到哪些问题？ 3. 利用包括电荷效应的Fair空位模型，计算1000℃时砷在硅中的扩散率。砷的浓度分别为（a）1×1015cm-3（b）1×1021cm-3 提示：在两种掺杂浓度条件下，载流子浓度（n）都不等于杂质浓度（C）6. 在GaAs片上面生长一层10 ?的均匀掺硫（S）的薄层。这层的掺杂浓度为1018cm-3.圆片覆盖一层Si3N4,以防止任何外扩散，然后在950℃下对圆片退火60分钟。忽略所有的重掺杂效应。 （a）退火后表面的浓度是多少？ （b）浓度等于1014cm-3时的深度为多少？ 第四章《热氧化》习题 1. 某些工艺需要1000 ?的栅氧化层。已经确定要在1000℃下进行干氧氧化。如果没有初始氧化层，氧化要做多长时间？氧化是处于线性区、抛物线区或两者之间？ 2. 如果氧化在湿氧气氛中进行，重复习题1. 3.决定在习题1的条件下，分两步生长氧化层。首先生长1000 ?氧化层，然后，再氧化到1000 ?的总厚度。若氧化是在1000℃干氧中进行，计算每次氧化所需要的时间。 第五章《离子注入》习题 1. 30keV、1012cm-2的B11注入到硅中， （a）注入分布峰值的深度上多少？ （b）峰值浓度是多少？ （c）3000 ?（0.3μm）深处的浓度是多少？ （d）尽管分布与（a）和（b）的答案相符，但是却发现测量浓度比（c）预计的浓度大一个数量级。请给出一个可能的解释（假定测量值是正确）。 4. 在注入机中，用如本章所述的质量分析器来引出所需的元素。假设引出电压是20keV，分析器曲率半径是30cm，计算引出硅（质量为28）所需的磁场。请解释为什么当离子源室有机小的真空漏气时注入分布中会有N2存在。 6. 一典型的强束流注入机工作束流为2mA，在一个150mm直径的圆片上注入O+，剂量为1×1018cm-2，注入要多久时间？ 第六章《快速热处理》(略) 第七章《光学光刻》习题 5. 对于100nm≤λ≤500nm的投影对准机，画出分辨率和聚焦深度与曝光波长的函数关系，应用K=0.75 NA=0.26。在同一图上，再计算对于NA=0.41时的这些函数关系。讨论这些曲线对要制造0.5μm图形的技术人员有什么提示？ 6. 一台接近式对准机用于曝光1μm孔。间隙为25μm 。掩模与g线光源间距为0.5m，菲涅尔判据是否满足？在什么特征尺寸下，此不等式不再适用？如与公式（ 7.16）预期的简单特征尺寸做比较，结果如何？ 7. 如果光源用i线灯和ArF激光替代，重复题6。 8. 一种特殊的光刻胶工艺可以分辨MTF≥0.3的图形。用图7.18计算NA=0.4，S=0.5的i线对准机的最小特征尺寸。 第八章《光刻胶》习题 1. 根据表8.1所列的四种波长，计算AZ-1450的CMTF。假定NA=0.4，在不同波长下使用该胶时，利用图7.18确定S=0.5的光刻胶的最小特征尺寸是多少？ 2. 0.6μm厚的某种光刻胶层的D0=40mJ/cm2，D100=85mJ/cm2 （a）计算胶的对比度。 （b）计算CMTF。 （c）若较厚去掉一半，D100减至70mJ/cm2，而D0不变。如若不改变胶的工艺，可能获得的最大对比度是多少？ 8. 一台现代曝光机使用248nm曝光波长，空间相干系数为0.75。