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- 2023-04-04 发布于四川
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本申请公开了一种双向功率器件,包括:半导体层;第一掺杂区,位于半导体层中;第一沟槽区的多个沟槽,位于第一掺杂区中,将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区;栅介质层,覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁;屏蔽介质层,覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁;以及栅极导体,位于第一沟槽区的多个沟槽中,并分别与栅介质层和屏蔽介质层接触,栅极导体包括相连的控制栅与屏蔽栅,控制栅与栅介质层接触,屏蔽栅与屏蔽介质层接触,其中,屏蔽介质层的厚度不一致,至少部分屏蔽介质层的厚度大于栅介质层的厚度。该双向
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214123858 U
(45)授权公告日 2021.09.03
(21)申请号 202022417362.4
(22)申请日 2020.10.27
(73)专利权人 杭州士兰微电子股份有限公司
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