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- 2023-04-04 发布于四川
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本申请公开了一种双向功率器件，包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；栅介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁；控制栅，位于第一沟槽区的多个沟槽的下部并与栅介质层接触；屏蔽介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁并位于控制栅的表面；以及第一屏蔽栅，位于第一沟槽区的多个沟槽中并与屏蔽介质层接触，其中，屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第一沟槽区的沟槽的上部侧壁的屏蔽介质层的厚度不一致，从而可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214123883 U
(45)授权公告日 2021.09.03
(21)申请号 202022419877.8
(22)申请日 2020.10.27
(73)专利权人 杭州士兰微电子股份有限公司
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