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- 2023-04-04 发布于四川
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一种组合磁场与内衬偏压锥形管和直管复合的镀膜装置,属于真空镀膜技术领域,本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括:电弧离子镀靶源、多级磁场装置、内衬偏压锥形管与直管组合装置、孪生靶高功率脉冲磁控溅射靶源、活动线圈装置及相关电源、波形匹配装置、偏压电源、样品台和真空室;薄膜沉积:连接装置,启动系统,待真空室内的真空度小于10‑4Pa时,通入工作气体,开启镀膜电源,偏压电源调节等离子体的能量,多级磁场装置
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214115697 U
(45)授权公告日 2021.09.03
(21)申请号 201822213389.4
(22)申请日 2018.12.26
(66)本国优先权数据
2017219
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