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本实用新型涉及半导体单晶成长坩埚，其从下至上包括晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段，晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段相连通；所述晶种培育段为具有半球形尖端的圆锥体；所述晶种复壮段包括半椭圆体和下圆台体，半椭圆体与晶种培育段的侧部通过曲线面平滑对接，半椭圆体与下圆台体侧部平滑对接；所述晶种成长段包括上圆台体、圆柱体，上圆台体与下圆台体侧部平滑对接，上圆台体与圆柱体侧部平滑对接。通过本实用新型所述半导体单晶成长坩埚其通过形状来限制单晶体晶种的成长过程和速度，其所培育出的单晶体成品率高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215404658 U
(45)授权公告日 2022.01.04
(21)申请号 202023116163.6
(22)申请日 2020.12.22
(73)专利权人 朝阳通美晶体科技有限公司
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