一种高性能的电平迁移电路.pdfVIP

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  • 2023-04-07 发布于北京
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本实用新型涉及一种高性能的电平迁移电路,本实用新型中VG点电压可随VS点电压浮动,其压差由A点电压控制,且最大压差在5V以内,可保证所驱动的NMOS管的VGS不超出耐压能力。本实用新型加快了电平转换速率,解决了将5V逻辑电平升到45V保证了高端功率管能充分导通,H桥高端管的栅源电压使其压差保持在5V以内,保证功率管不被击穿。本实用新型电路较为简单、成本较低、运行稳定可靠。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215452914 U (45)授权公告日 2022.01.07 (21)申请号 202121532386.2 (22)申请日 2021.07.07 (73)专利权人 沈阳工业大学 地址

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