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- 2023-04-09 发布于四川
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本申请涉及了一种半导体装置封装。所述半导体装置封装包含衬底、热传导结构、第一氮化物半导体层及第二氮化物半导体层。所述衬底具有一第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述热传导结构设置在所述基板的所述第二表面上，其中所述热传导结构具有复数个鳍，所述复数个鳍的每一个由所述基板的所述第二表面朝向所述第一表面延伸。所述第一氮化物半导体层设置在所述热传导结构上。所述第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215496684 U
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202120239574.X
(22)申请日 2021.01.28
(73)专利权人 英
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