原创力文档- 3
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- 2023-04-09 发布于四川
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本实用新型公开了一种窄边框TFT结构，包括GIP电路布局区，GIP电路布局区包括Metal1层、Metal2层、接触孔和ITO；Metal2层位于Metal1层上方，且Metal2层的宽度小于Metal1层的宽度；接触孔挖设于Metal1层与Metal2层的投影在相邻的部分重叠与部分非重叠的区域上方，且接触孔的底部与Metal1层和Metal2层相接触；ITO覆盖在接触孔内上方及四周。本实用新型通过将传统减光罩设计中分别挖设在GIP电路布局区的Metal1层和Metal2层上方的两个接触孔设计为
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215496719 U
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202121237140.2
(22)申请日 2021.06.03
(73)专利权人 福建华佳彩有限公司
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