原创力文档- 0
- 0
- 约6.76千字
- 约 7页
- 2023-04-09 发布于四川
- 举报
本实用新型提供一种半导体离子注入装置，包括注入装置本体，所述注入装置本体包括气源室、离子源、分析组件、加速组件和靶室，所述气源室的内部安装有压板，所述气源室的底端通过管道与离子源相连通，所述离子源的底端连接有吸出组件和分析组件，所述分析组件的底端安装有加速组件，所述加速组件的后端与靶室的内部相连，所述靶室的内部安装有装夹板，该半导体离子注入装置掺杂气源的浓度始终相同，成品效果均匀，可以自动对半导体材料进行翻转，减少了加工流程。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215496620 U
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202121263489.3 H01L 21/687 (2006.01)
(22)申请日
文档评论（0）