原创力文档- 1
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- 2023-04-09 发布于四川
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本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：工艺管、支撑机构、第一射频机构及第二射频机构；支撑结构设置于工艺管内，支撑机构包括有绝缘材质的支撑杆，支撑杆的第一端与工艺管的炉口连接，支撑杆的第二端与工艺管的炉尾连接，支撑杆用于承载并定位第一晶舟及第二晶舟；第一射频机构设置于支撑杆上，并且靠近工艺管的炉口设置，用于将射频引入第一晶舟；第二射频机构设置于工艺管的炉尾处，用于将射频引入第二晶舟。本申请实施例通过两个射频机构分别向两个晶舟引入射频，使得两个晶舟的工艺更加稳定，并且能有
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215481256 U
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202120915318.8
(22)申请日 2021.04.29
(73)专利权人 北京北方华创微电子装备有限公
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