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2018年全国攻读硕士学位研究生入学考试试题 PAGE PAGE 1 兰州大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：半导体物理 科目代码：807 考试时间： 月 日 （注：特别提醒所有答案一律写在答题纸上，直接写在试题或草稿纸上的无效！） ——————————————————————————————— 解释下列概念： 1、霍尔效应： 2、共有化运动? 3、杂质补偿? 4、肖特基势垒 5、非平衡载流子寿命 简述硅和砷化镓能带结构的异同。 三、简述产生半导体激光的基本条件。 四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。 五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准，并说明其含义。 ? 六、请解释迁移率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。 ? 七、请定性画出n-n型异质结平衡时能带图，并给予简要解释。 ? 八、?用n型Si衬底制成MOS电容，解释该结构在积累、耗尽、弱反型、强反型下的电容值变化规律，并画出高频、低频的C-V曲线。 ? 九、?在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度ND = 1015/cm3，受主杂质浓度NA = 4×1014/cm3；设室温下本征硅材料的电阻率ri=2.2×105W.cm，假设电子和空穴的迁移率分别为mn = 1350cm2/(V.S), mp = 500cm2/(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影响，求掺杂样品的电导率。 ? ?施主浓度ND = 1016/cm3的n型单晶硅片，求室温下功函数是多少？若忽略表面态的影响，当它同金属Al、Au、Mo接触时，分别形成何种接触？并定性画出该n型硅与金属Al接触前后的能带示意图。已知硅的电子亲和能Xs =4.0eV，NC = 1019/cm3，设金属的功函数分别为Wal = 4.05 eV, WAu = 5.20eV, WMo = 4.21 eV。 兰州大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：半导体物理 科目代码：807 考试时间： 月 日 （注：特别提醒所有答案一律写在答题纸上，直接写在试题或草稿纸上的无效！） ——————————————————————————————— 兰州大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：半导体物理 科目代码：807 考试时间： 月 日 （注：特别提醒所有答案一律写在答题纸上，直接写在试题或草稿纸上的无效！） ——————————————————————————————— 兰州大学2013年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：半导体物理 科目代码：807 考试时间： 月 日 （注：特别提醒所有答案一律写在答题纸上，直接写在试题或草稿纸上的无效！） ——————————————————————————————— 兰州大学2012年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：半导体物理 科目代码：807 考试时间： 月 日 （注：特别提醒所有答案一律写在答题纸上，直接写在试题或草稿纸上的无效！） ——————————————————————————————— 兰州大学2011年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：半导体物理 科目代码：807 考试时间： 月 日 （注：特别提醒所有答案一律写在答题纸上，直接写在试题或草稿纸上的无效！） ——————————————————————————————— 兰州大学2010年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：半导体物理 科目代码：807 考试时间： 月 日 （注：特别提醒所有答案一律写在答题纸上，直接写在试题或草稿纸上的无效！） ——————————————————————————————— 一、简答题： 1. 画出中等掺杂硅的电阻率随温度的变化情况。 2. n型半导体衬底形成的MIS结构，画出外加不同偏压下多子积累和反型二种状态的能带图。画出理想的低频和高频电容-电压曲线。解释平带电压(7分) 图略 平带电压：功函数或者绝缘层电荷等因素引起半导体内能带发生弯曲，为了恢复平带状态所需加的外加栅偏压。或者使半导体内没有能带弯曲时所加的栅电压。 3. 写出至少两种测试载流子浓度的实验方法。 可以采用四探针法、C-V测试以及霍耳效应来测试载流子浓度（写出两种即可）； 三、计算题 1. Si与金属形成的肖特基势垒接触，反向饱和电流为I0=10-11A，若以测试得到的正向电流达到10-3A为器件开始导通。 （1）求正向导通电压值； 每步各2分 （2）如果不加电压时半导体表面势为