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- 2023-04-12 发布于四川
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本实用新型提供的一种超高电流晶体管芯片，包括其衬底；所述衬底正面与缓冲层接触,衬底的背面与背面金属层接触，缓冲层的中部加工有基极，缓冲层的两端加工有保护环,基极内加工有发射极，所述缓冲层的上端面中部与表面金属层接触，所述保护环上部覆盖有钝化层。本实用新型通过金硅互溶工艺，将金直接与芯片接触，减少了芯片和底板之间的热阻，并将晶体管发射极周长延长，提高每单位发射极周长的电流容量，降低了芯片热量产生的速度。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218730956 U
(45)授权公告日 2023.03.24
(21)申请号 202221023441.X H01L 23/373 (2006.01)
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