碳化硅晶体的生长装置.pdfVIP

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2023-04-13 发布于北京
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碳化硅晶体的生长装置.pdf

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本实用新型提供了一种碳化硅晶体的生长装置，涉及半导体技术领域，包括坩埚与至少一个均流板，坩埚内包括用于放置碳化硅原料粉末的原料腔室和用于生长晶体的生长腔室，碳化硅原料粉末能在坩埚被加热时气化为原料气氛，该均流板设置于原料腔室和生长腔室之间，被配置为用于分散原料气氛，并使原料气氛通过均流板进入生长腔室。该装置能够引导原料组份分流，避免组分聚集，起到均匀热场的作用，以使得碳化硅晶体能够在该装置内均匀生长，提高碳化硅晶体的质量，降低碳化硅晶体的凸度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215628418 U (45)授权公告日 2022.01.25 (21)申请号 202122005933.8 (22)申请日 2021.08.24 (73)专利权人福建北电新材料科技有限公司